生长压力对GaN薄膜生长速率和结构特性的影响

• 作者: 倪金玉 张进成 杨林安 郝跃
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 氮化镓 反应室压力 生长速率 表面形貌 结晶质量
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1214-1217
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-009-0300-6

摘要

研究了生长压力对金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜的生长速率、表面形貌和结晶质量的影响.研究结果表明,随着反应室压力由2500 Pa增加到20000 Pa,GaN薄膜表面逐渐粗化,生长速率逐渐下降.粗糙的表面形貌与初始高温GaN成核岛的特征密切相关.初始高温GaN生长阶段采用高压条件,因低的吸附原子表面扩散率而容易形成低密度、大尺寸的GaN岛.这些GaN岛推迟了二维生长过程的出现,降低了薄膜的生长速率.同时,这些低密度、大尺寸的GaN岛在此后生长合并过程中产生较少的线位错,从而降低了GaN薄膜X射线摇摆曲线的半高宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃		312	1866	17.0	25.0
2	杨林安		17	95	6.0	9.0
3	张进成		19	65	5.0	7.0
4	倪金玉		7	31	3.0	5.0