一种与CMOS工艺兼容的钨微热板

• 作者: 唐祯安 汪家奇
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 MEMS 钨电阻 钨微热板
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 1522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2009.01.010

摘要

标准CMOS工艺中的多晶硅的热性能越来越稳定,因此多晶硅微热板受到一定的限制.本文设计了一种与标准CMOS工艺兼容的钨微热板.钨在CMOS工艺中作为通孔材料连接两层金属或者金属与硅衬底.但在钨微热板的设计过程中,钨连接一层金属,构成钨电阻,作为微热板的加热和测温电阻.测量结果显示钨的温度系数是0.0015/℃,钨微热板的热阻是17℃/mW.本文的钨微热板的设计可以应用到相关的与标准CMOS工艺兼容的热传感器的设计之中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐祯安	大连理工大学电信学院	142	1281	17.0	29.0
2	汪家奇	大连理工大学电信学院	10	24	3.0	4.0