0.35μm SiGe BiCMOS 10 Gb/s激光驱动芯片设计

• 作者: 冯军 吴松昌 李伟 章丽
• 来源期刊: 东南大学学报(英文版)
• 学科: 工学
• 关键词: 激光驱动芯片 MOS-HBT结构 锗硅BiCMOS工艺
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 309-312
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 409字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2009.03.005

摘要

讨论一款基于SiGe BiCMOS工艺工作速率为10 Gb/s激光驱动芯片的设计.该激光驱动芯片包括输入缓冲、驱动放大电路和输出级电路3个部分.输入缓冲、驱动放大电路采用电流模电路,满足高速数据传输和放大的能力.输出级电路结构采用新型的MOS-HBT共源共栅结构可以降低米勒效应减小输入电容,从而使激光驱动芯片工作在10 Gb/s时也能达到良好的性能.主电路电源电压为3.3 V,输出级电路供电电压为5.5 V,确保激光器有足够的电压摆幅.芯片总面积(包括焊盘)为600μm×800μm,,测试表明当输入10 Gb/s的非归零随机码,输出级电源电压为5.5 V时,电路总功耗为660 mw,在50 Ω负载上可以提供3 V的驱动电压(相应的驱动电流为60mA).测试眼图清晰,可以很好地满足SDH STM64/SONNET OC192和10 Gb/s以太网的模板要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	东南大学射频与光电集成电路研究所	135	939	14.0	23.0
2	冯军	东南大学射频与光电集成电路研究所	77	348	9.0	12.0
3	章丽	东南大学射频与光电集成电路研究所	36	217	9.0	12.0
4	吴松昌	东南大学射频与光电集成电路研究所	1	1	1.0	1.0