0.13 μm GGNMOS管的ESD特性研究

• 作者: 姜玉稀 王东 郭斌
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静电泄放(ESD) 栅极接地NMOS(GGNMOS) 骤回特性
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 11-16
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.12.003

摘要

当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的.NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性.文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件.文章基于0.13μ m硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响.通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜玉稀		8	32	3.0	5.0
2	王东		1	2	1.0	1.0