离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析

• 作者: 何波 史衍丽 徐静 李凤 沈成 沈玲 赵磊 马忠权
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: HgCATe 离子束刻蚀 泊松方程 Hg源扩散
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-17,22
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 字数: 1747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2009.01.003

摘要

根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓交结;由1/C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度.利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性.并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽		41	372	8.0	18.0
2	何波	上海大学理学院物理系	4	6	2.0	2.0
3	马忠权	上海大学理学院物理系	25	87	5.0	8.0
4	徐静	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	11	43	3.0	6.0
5	赵磊	上海大学理学院物理系	11	55	3.0	7.0
6	李凤	上海大学理学院物理系	6	19	2.0	4.0
7	沈成	上海大学理学院物理系	3	5	2.0	2.0
8	沈玲	上海大学理学院物理系	10	23	2.0	4.0