ZnO掺杂对PVK∶Ir(ppy)3体系发光特性的影响

• 作者: 傅广生 庞学霞 杨少鹏 秦向东 赵方超 邱晓丽
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷光 有机电致发光 ZnO
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 317-320
• 页数: 4页
• 分类号: TN383
• 字数: 2457字
• 语种: 中文

摘要

以无机纳米颗粒ZnO作为电子传输材料,并以不同质量比掺杂到PVK∶ Ir(ppy)3体系作为发光层制成一系列磷光器件,器件结构为:ITO/PVK∶ Ir(ppy)3∶ ZnO(100∶ 1∶ x)/ BCP/Alq3/Al, ZnO的掺杂浓度x分别为0%,1%,2%,5%,10%,研究了它们的电致发光特性.结果表明:合适比例ZnO掺杂可以改善器件的发光特性,ZnO的最佳掺杂量为1%,此时器件的相对发光强度是未掺杂的器件的4倍,器件的启亮电压也由未掺杂时的15.5 V降到了10.5 V.当掺杂浓度较大时,电子传输过多在电极另一侧形成漏电流,没有在发光层内进行电子与空穴有效复合,没有对发光起到作用,导致器件的发光性能下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨少鹏	河北大学物理科学与技术学院	60	217	8.0	12.0
2	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
3	庞学霞	河北大学物理科学与技术学院	20	85	5.0	8.0
4	秦向东	河北大学物理科学与技术学院	9	21	3.0	4.0
5	邱晓丽	河北大学物理科学与技术学院	5	17	2.0	4.0
6	赵方超	河北大学物理科学与技术学院	4	16	2.0	4.0