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摘要:
本文在元器件电离辐射(总剂量)试验的基础上,分析了元器件性能下降的趋势,并探讨将可靠性理论引入辐射设计余量(RDM)计算的方法.
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文献信息
篇名 电子元器件电离辐射试验结果与分析
来源期刊 现代测量与实验室管理 学科 工学
关键词 电离辐射 总剂量效应 失效率 可靠度 辐射设计余量
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 计量测试
研究方向 页码范围 17-18
页数 2页 分类号 TB98
字数 1717字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-8764.2009.05.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张龙 7 0 0.0 0.0
2 唐萍 中国科学院咨询科学与应用研究中心 9 108 4.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
电离辐射
总剂量效应
失效率
可靠度
辐射设计余量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国检验检测
双月刊
1673-8764
10-1469/TB
大16开
北京市北三环东路18号
82-615
1993
chi
出版文献量(篇)
2964
总下载数(次)
11
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