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摘要:
我们用变分方法研究了外电场下量子阱中的杂质态结合能,计算中既考虑了电子同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用又考虑了杂质中心同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用.我们以GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱为例,讨论了结合能随杂质位置、阱宽和电场强度的变化规律.得到了电子-声子相互作用对杂质态结合能和斯塔克效应的修正是相当明显的.
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文献信息
篇名 外电场下极性量子阱中杂质态结合能
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 施主杂质态 电子-声子相互作用 量子阱 斯塔克效应
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 285-292
页数 8页 分类号 O471.3|O472.3
字数 1785字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴云峰 大连民族学院理学院 8 35 4.0 5.0
2 梁希侠 内蒙古大学物理系 31 64 5.0 6.0
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研究主题发展历程
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施主杂质态
电子-声子相互作用
量子阱
斯塔克效应
研究起点
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发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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