准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究

• 作者: 吴敢 崔连武 程华 闻火 闻立时 黄荣芳
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 准分子激光 非晶硅薄膜 激光能量密度 结晶度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 2049字
• 语种: 中文

摘要

利用KrF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化.研究了激光能量密度和照射脉冲数对薄膜结晶度的影响,并对晶化后薄膜的形貌和结构进行了表征.结果表明:该非晶硅薄膜晶化阈值约为110 mJ/cm2,且不受照射脉冲数的影响;激光能量密度是影响薄膜结晶度的首要因素,但在较低的能量密度时,增加照射脉冲数也会显著的提高薄膜结晶度;结构及形貌表征发现,薄膜晶化层厚度约为400～500 nm,平均晶粒尺寸为30～50 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程华	中国科学院金属研究所	8	36	4.0	5.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	吴敢		7	35	4.0	5.0
4	崔连武	中国科学院金属研究所	2	4	1.0	2.0
5	闻火		4	10	2.0	3.0
6	黄荣芳		3	10	2.0	3.0