快速热压法制备掺杂纳米SiC的MgB_2超导体

• 作者: 孙旭东 曲波 薛翠平
• 来源期刊: 东北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MgB_2 超导体 快速热压 SiC掺杂
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与冶金
• 页码范围: 1586-1589
• 页数: 4页
• 分类号: TQ050.4
• 字数: 2541字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3026.2009.11.017

摘要

采用快速热压烧结技术,在流动的高纯氩气保护氛围下,成功地制备出致密MgB_2块材.系统地介绍了快速热压技术烧结MgB_2块材的工艺,找出了烧结温度、保温时间、原料配比等最佳工艺参数;讨论了SiC纳米相的掺杂对MgB_2块体的影响,包括微观显微组织、物相分析、临界电流密度(J_c)等.实验表明,在快速热压条件下,950℃保温30min,随后炉冷,可以制备出理想的MgB_2块材,质量分数为5%SiC的掺杂可以极大地提高MgB_2的超导性能.测试温度在20K以下,在自场下J_c可达到10~6A/cm~2以上;在5K下,当外加磁场增加到7T时,J_c缓慢下降,但仍在10~5A/cm~2以上,使其实用性得到更进一步改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙旭东	东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室	170	1880	22.0	36.0
2	薛翠平	东北大学理学院	10	8	2.0	2.0
3	曲波	东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0