低输出功率应用的E类CMOS功率放大器设计

• 作者: 刘继华 李智群 王志功 袁成
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: E 类功率放大器 CMOS工艺 低功率应用
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 180-184
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 892字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2009.02.008

摘要

利用标准的0.18μm6层金属混合信号/射频CMOS工艺设计了一种工作在2.4 GHz频段的全集成E类功率放大器.电路采用两级放大器级联结构,其中驱动级利用谐振技术生成高摆幅开关信号;输出级采用E类结构实现了信号的功率放大.在1.2 V电源电压下,设计的功率放大器最高输出功率为8.8 dBm,功率附加效率(PAE)达到44%.同时,提出了一种E类功率放大器功率控制方法.通过改变进入E类开关晶体管的信号幅度和占空比,在3位数字控制字的控制下,输出功率达到-3～8.8 dBm.所设计的功率放大器可以满足诸如无线传感网络(WSN)和生物遥测等低功率系统的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	李智群	东南大学射频与光电集成电路研究所	76	576	10.0	20.0
3	袁成	东南大学射频与光电集成电路研究所	5	11	2.0	3.0
4	刘继华	东南大学射频与光电集成电路研究所	4	8	2.0	2.0