SIPOS薄膜工艺及其稳定性研究

• 作者: 魏敦林
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氧半绝缘多晶硅 钝化 低压化学气相沉积 氧含量 沉积速率 实验设计
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 3402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.07.010

摘要

SIPOS半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用,其不仅能够提升器件的反向击穿电压,而且也极大地提高了器件的可靠性.文章阐述了SIPOS薄膜的器件钝化机理,工艺过程中各参数对薄膜特性及应用的影响.同时通过实验设计DOE对LPCVD(化学气相沉积)系统的各个参数进行工程实验,分析了相关参数对薄膜沉积速率及特性的影响,并通过对实验结果的模型推导,得出相关工艺参数与产品电学性能之间的关系实验模型,并进一步阐述了工艺稳定性控制的方法,为SIPOS薄膜在工艺的实际工程应用中以及工艺的稳定性控制上提供可靠的技术支持.