利用电子束蒸发制备铝隧道结工艺研究

• 作者: 吉争鸣 吴培亨 张静 昌路 许伟伟 陆殷华 陈健
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束蒸发 Al薄膜 铝超导隧道结
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TM2
• 字数: 2707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2009.02.007

摘要

采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(Al)薄膜.利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成,超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc).当Al薄膜厚度大于500埃时,超导转变温度Tc=1.2K.电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好,具有较高的结晶质量,为制备Al超导隧道结奠定了良好基础.对小面积的Al 超导隧道结工艺进行了研究,该超导隧道结两层的超导体材料为Al薄膜,中间势垒层材料为Al2O3.其中Al薄膜利用电子束蒸发制备,势垒层通过直接氧化Al薄膜表面实现,该工艺和采用直接蒸发氧化物薄膜工艺相比不仅简单而且能有效防止势垒层不连续造成的弱连接.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张静	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	97	620	11.0	23.0
2	许伟伟	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	69	148	6.0	9.0
3	吴培亨	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
4	昌路	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	4	2	1.0	1.0
5	吉争鸣	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	36	111	6.0	9.0
6	陈健	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	73	202	7.0	11.0
7	陆殷华	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	2	1	1.0	1.0