硅基PZT压电功能结构

• 作者: 任明远 刘晓为 张颖 王蔚 田丽
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: PZT 压电功能结构 执行器元件 微机电系统
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 583-588
• 页数: 6页
• 分类号: TN384
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2009.03.019

摘要

为获得适合单片集成的硅基PZT压电功能结构,对近年PZT薄(厚)膜在MEMS领域的研究现状进行了综述分析,提出了一种新型的双杯PZT/Si膜片式功能结构.采用有限元方法对双杯PZT/Si膜片进行了结构优化,得到PZT和上下硅杯的结构优化值为DPZT∶D1∶D2 =0.75∶1.1∶1,一阶模态谐振频率为13.2 kHz.以氧化、双面光刻、各向异性刻蚀以及精密丝网印刷等工艺技术制作了双杯硅基PZT压电厚膜膜片,膜片具有压电驱动功能,PZT压电膜厚达80 μm.实验表明,双杯PZT/Si膜片式功能结构的MEMS技术兼容性好,对芯片内其它元件或电路的影响小,适合作为MEMS片内执行元件的驱动机构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王蔚	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	12	42	4.0	6.0
2	田丽	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	10	37	3.0	6.0
3	刘晓为	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	42	140	7.0	10.0
4	任明远	哈尔滨理工大学软件学院	8	19	3.0	4.0
5	张颖	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	47	545	13.0	22.0