氚钛片辐照硅基半导体器件电学输出性能

• 作者: 张华明 杨玉青 熊晓玲 王关全 罗顺忠 胡睿 魏洪源
• 来源期刊: 同位素
• 学科: 工学
• 关键词: 氚钛片 辐射伏特效应同位素电池 电学输出性能
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 218-220
• 页数: 3页
• 分类号: TM910.2
• 字数: 2189字
• 语种: 中文

摘要

制备了多个不同厚度金属钛膜吸附不同量3H的氚钛片,利用这些源片辐照硅基半导体器件,测试并分析了它们的电学输出性能.结果表明,这些氚钛片辐照硅基半导体器件可以输出电流,但由于金属钛对氚源β射线的阻挡,器件输出电流和最大输出功率与钛膜中贮氚量不呈正比增长关系,小的钛膜厚度有利于提高β射线能量利用率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗顺忠		163	805	12.0	20.0
2	王关全	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	46	136	6.0	9.0
3	魏洪源	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	63	126	5.0	7.0
4	熊晓玲	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	25	70	5.0	7.0
5	杨玉青	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	42	95	5.0	7.0
6	胡睿	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	36	108	6.0	8.0
7	张华明	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	24	126	6.0	10.0