氦热脱附谱研究碳掺杂对铝中氦行为的影响

• 作者: 刘柯钊 向鑫 彭丽霞 陈长安 饶咏初
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 铝 氦热脱附谱 碳掺杂 氦行为
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 510-514
• 页数: 5页
• 分类号: O552
• 字数: 2957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.04.011

摘要

通过离子注入技术在铝中引入C,He两元素,并采用氦热脱附谱(THDS)研究了C掺杂对铝中氦行为的影响.注He纯铝的THDS中存在四个氦释放区间,分别归于小间隙环的解离、位错环的合并、位错环的皱缩及氦泡向样品表面的迁移.C掺杂后,铝中形成了高热稳定性的HenVmCx型复合物,造成样品中气体释放延迟.然而,随着C掺杂剂量的增加,THDS谱发生显著改变,低温区出现明显的释放峰,且C掺杂量越高,低温区的释放峰个数越多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘柯钊		13	36	2.0	5.0
2	陈长安		16	55	5.0	6.0
3	向鑫		4	13	2.0	3.0
4	饶咏初		7	12	2.0	3.0
5	彭丽霞		9	21	2.0	4.0