InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应

• 作者: 刘敏波 唐本奇 张勇 王祖军 肖志刚 黄绍艳
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 多量子阱激光二极管 γ射线 辐射效应
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1024-1028
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.8
• 语种: 中文

摘要

本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究,总剂量(以Si计)达5.5×10~4 Gy.结果表明:多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强,在实验总剂量下,裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性、I-V特性及中心波长基本未变化.而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件,这些附属元件受γ辐照后光学性能下降,最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降,停止辐照后,不需加偏置,在室温下即能发生退火,使得斜率效率逐渐回升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐本奇		32	248	9.0	13.0
2	王祖军		22	178	7.0	12.0
3	刘敏波		22	147	8.0	10.0
4	肖志刚		29	227	8.0	13.0
5	张勇		23	200	8.0	12.0
6	黄绍艳		27	220	8.0	13.0