抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响

• 作者: 吕菲 张伟才 武永超 王云彪 赵权
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 粗糙度 抛光速率 抛光雾 清洗工艺 抛光液 臭氧水
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 745-747,786
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.08.007

摘要

研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一定的抛光速率,应尽量采用多步抛光的方式,逐步降低抛光布的硬度和SiO2溶胶粒径,抛光液的pH值也要在合适的范围.因臭氧水的清洗工艺不会增加粗糙度,不失为一种控制GaAs抛光片表面粗糙度的有效方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲	中国电子科技电集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
2	赵权	中国电子科技电集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
3	张伟才	中国电子科技电集团公司第四十六研究所	22	42	4.0	4.0
4	武永超	中国电子科技电集团公司第四十六研究所	7	28	4.0	5.0
5	王云彪	中国电子科技电集团公司第四十六研究所	18	49	4.0	5.0