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摘要:
简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32 nm光刻现状及22 nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22 nm技术节点的前景.
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文献信息
篇名 浸没式光刻向22nm挺进
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 光学光刻 32nm光刻 22nm光刻进展 193nm浸没式光刻 双重图形光刻
年,卷(期) 2009,(8) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 1-8,50
页数 9页 分类号 TN305.7
字数 9728字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2009.08.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张崇巍 8 30 3.0 5.0
2 马建军 2 20 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
光学光刻
32nm光刻
22nm光刻进展
193nm浸没式光刻
双重图形光刻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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10002
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