PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展

• 作者: 储清梅 冯炜光 刘翔 张鹏翔
• 来源期刊: 云南冶金
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 PECVD SiN薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 金属材料与加工
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN
• 字数: 3897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-0308.2009.03.009

摘要

由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点,越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜,对其制备工艺研究更深入.在总结最近的研究状况的基础上,提出了PECVD(Plasma enhanced chemistry vapor deposition)制备SiN薄膜的最佳工艺条件:衬衣温度在360℃左右,射频频率为13.56 MHz,射频功率最好在30～20W的范围,[SiH4∶N2]/[NH3]的最佳流速比在4～7之间,退火温度350～400℃最合适,退火时间10 s到10 min.此外,在总结前人研究的基础上认为SiN薄膜中嵌入Si-ncs将会是提高太阳电池效率的一个方向,还有待于进一步研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏翔	昆明理工大学光电子新材料研究所	148	1293	19.0	28.0
2	刘翔	昆明理工大学光电子新材料研究所	45	94	5.0	7.0
3	储清梅	昆明理工大学真空冶金及材料研究所	5	11	3.0	3.0
7	冯炜光	昆明理工大学光电子新材料研究所	1	4	1.0	1.0