激光剥离技术实现垂直结构GaN基LED

• 作者: 崔占忠 徐立新 王婷
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 LED CaN 激光剥离 键合
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 光学器件
• 页码范围: 172-174
• 页数: 3页
• 分类号: TN312
• 字数: 1655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-1582.2009.02.014

摘要

为改善CaN基发光二极管(Light-emitting diode,LED)的电学特性和提高其输出光功率,采用激光剥离技术,在KrF准分子激光器脉冲激光能量密度为400mJ/cm2的条件下,将CaN基LED从蓝宝石衬底剥离,结合金属熔融键合技术,在300℃中将CaN基LED转移至高电导率和高热导率的硅衬底,制备出了具有垂直结构的CaN基LED,并对其电学和光学特性进行了测试.结果表明:在110mA注入电流下,垂直结构器件的开启电压由普通结构的3.68V降低到了3.27V;在560mA注入电流下,器件输出光功率没有出现饱和现象;采用高电导率和高热导率的硅衬底能有效地改善CaN基LED的电学和光学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔占忠	北京理工大学宇航科学技术学院	100	781	14.0	23.0
2	徐立新	北京理工大学宇航科学技术学院	47	433	11.0	18.0
3	王婷	北京理工大学宇航科学技术学院	8	217	3.0	8.0