关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

• 作者: 刘剑 孔凡东 蒋卓勤 陆玉娥
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 双峰效应 掺杂浓度 MOSFET 数字化评估
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 182-183,186
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.05.056

摘要

介绍一种关于双峰效应(Double-Hump)的评估方法.通过对MOSFET的Id-Vg曲线的分析,双峰效应的程度可以用数字化评估.采取这种量化表征,细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系.建立了MOS的Vt 和Punch-through的粒子注入有效浓度和双峰效应的相互关系模型.它们之间的相互关系与现存的理论一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆玉娥		6	8	2.0	2.0
2	蒋卓勤		18	36	4.0	5.0
3	孔凡东		7	5	2.0	2.0
4	刘剑		1	2	1.0	1.0