电子器件的金刚石基衬底

• 来源期刊: 工业金刚石
• 学科: 化学
• 关键词: 金刚石合成 电子器件 衬底 制造方法 硅晶片 半导体层 金刚石层 CVD
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 37-38
• 页数: 2页
• 分类号: O613.71

摘要

本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，