采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究

• 作者: 叶早晨 宋长安 张光辉 彭应全 李训栓 李远飞 汪润生 袁建挺 赵明 郭晗 马朝柱
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 真空镀膜 酞菁铜CuPc 叠层结构 有机场效应晶体管(OFET)
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN303|TB43
• 字数: 2571字
• 语种: 中文

摘要

本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET.该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞菁铜CuPc作为沟道层.测量出其输出特性曲线,可看见较明显的场效应特性.对器件温度特性的研究表明,漏极电流随着温度的升高而增大.XRD分析表明,在Si/SiO2和Si/SiO2/Al两种衬底上蒸镀制备的CuPc薄膜呈多晶结构,且两种衬底上的CuPc薄膜晶粒尺度大致相等.