强流脉冲电子束轰击对单晶Si表面形貌的影响

• 作者: 储金宇 关庆丰 朱健 梁亮 王雪涛
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 数学
• 关键词: 强流脉冲电子柬 单晶硅 剪切带 微孔洞 熔坑
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 601-605
• 页数: 5页
• 分类号: O14
• 字数: 3287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2009.08.010

摘要

用强流脉冲电子束技术对两种取向的单晶Si片进行了表面轰击,对电子束诱发的表面形貌进行了分析.实验结果表明,当能量密度～3 J/cm2时,轰击表面开始形成大量的熔坑.能量密度～4 J/cm2时,表面开始出现微裂纹,微裂纹的形态与单晶Si的晶体取向密切相关;强流脉冲电子束轰击能够诱发表层强烈的塑性变形,[111]取向单晶Si表面出现剪切带结构,而[001]取向单晶Si表面变形结构则以微条带为主;此外,变形区域内还出现大量<100 nm的微孔洞形貌,这些微孔洞的形成为制备表面多孔材料提供了可能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储金宇	江苏大学环境科学与工程学院	160	1963	23.0	35.0
2	朱健	江苏大学环境科学与工程学院	19	107	5.0	9.0
6	关庆丰	江苏大学材料科学与工程学院	60	362	11.0	15.0
7	梁亮		8	83	5.0	8.0
8	王雪涛	江苏大学材料科学与工程学院	6	81	5.0	6.0