应力对双极型晶体管参数性能的影响

• 作者: 郦扬成
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 应力和形变 二次缺陷 慢速降温
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 751-754
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.08.009

摘要

半导体器件和集成电路中存在着两大类应力,提出了应力及其引起的二次缺陷产生的原因、以及如何减小产生的应力和减少二次缺陷的措施,分析了应力和二次缺陷对双极型晶体管的参数性能的不同影响,以及如何区分产生的这些影响是由何种应力或二次缺陷引起的办法.指出硅片在高温氧化扩散后的科学的慢降温和低温出炉是减小应力和减少二次缺陷的最主要措施,对提高器件参数性能的水平和一致性、提高合格率等起着很重要的作用.

作者信息

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1	郦扬成		1	0	0.0	0.0