电沉积法制备Bi2S3薄膜研究

• 作者: 吴建鹏 曹丽云 曾燮榕 熊信柏 王艳 黄剑锋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Bi2S3薄膜 电沉积 pH值
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 916-919,933
• 页数: 5页
• 分类号: TQ135.32
• 字数: 2864字
• 语种: 中文

摘要

采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了Bi2S3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征.研究了pH值、沉积时间、沉积液浓度等工艺因素对薄膜的影响.结果表明:电沉积制备Bi2S3薄膜的过程中,合适的Bi3+与S2O32-的浓度水平是至关重要的;在电沉积溶液pH=6.5,沉积时间为20 min,沉积电压为1 V,加入柠檬酸三钠作络合剂的情况下,得到沿(240)晶面生长良好的Bi2S3薄膜,薄膜组成均匀致密;增加沉积溶液pH值,薄膜的结晶程度逐渐提高,红外透过比提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄剑锋	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	271	1521	17.0	24.0
3	曹丽云	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	224	1288	16.0	22.0
4	熊信柏	深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室	29	285	8.0	16.0
5	曾燮榕	深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室	54	576	11.0	22.0
6	王艳	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	26	144	8.0	10.0