薄膜厚度对直流溅射制备AZO薄膜的特性影响

• 作者: 宋淑梅 张平 杨斌 杨田林 王连杰
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 薄膜厚度 光电特性 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 261-264
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.8|TN305.92
• 字数: 2305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2009.04.009

摘要

采用直流磁控溅射法,当衬底温度为室温时,在普通玻璃衬底上制备出了低电阻率、高透过率的ZnO:Al透明导电薄膜.研究了薄膜厚度对薄膜结构以及光电特性影响.当薄膜厚度为930 nm,薄膜的光电特性最好,电阻率为4.65×10~(-4)Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为85.8%,禁带宽度约为3.51 eV.