四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分调制下的能带转型

• 作者: 张院生 郭子政
• 来源期刊: 内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 四元混晶 量子阱 组分 能带转型 应变
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 39-43,47
• 页数: 6页
• 分类号: O417.1
• 字数: 4230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8735.2009.01.010

摘要

采用模型固体理论,在计入晶格失配造成的应变效应的情况下,计算了In1-xGaxAsyP1-y/InGaAsP单量子阱中电子和空穴的能带.结果表明:通过调整混晶组分,可以方便地调制能带结构,实现能带转型; 当阱由单层变为多层时,通过控制组分可使势阱由方阱变为抛物阱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭子政	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	40	143	6.0	10.0