SiC热氧化SiO2的红外光谱研究

• 作者: 曹群 田晓丽 石瑞英 龚敏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 化学
• 关键词: 红外反射光谱 6H-SiC 空位型缺陷 偏振 界面态
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: O657.33
• 语种: 中文

摘要

SiC热氧化时由于C元素的存在及其诱生的空位型缺陷,影响SiO2层的质量、SiO2/SiC界面及SiC MOS器件的击穿特性.采用红外光谱技术研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2层,分析和讨论了SiO2氧化层及界面态的红外反射特征峰,对偏振入射光与SiO2振动模的相互作用进行了分析.对C元素的红外光谱学表征进行了初步研究,从而为工艺中对SiO2层中C元素的实时检测和进一步改善SiC MOS器件电学特性的研究打下基础.