界面生长中断对GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

• 作者: 刘宝利 叶慧琪 杨成良 王文新 胡长城 陈弘 高汉超
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 时间分辨克尔旋转谱 多量子阱 分子束外延 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 214-218
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|O484.4+1
• 字数: 2311字
• 语种: 中文

摘要

用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 多量子阱中电子自旋寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈弘		2	2	1.0	1.0
4	王文新	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	15	50	4.0	6.0
8	叶慧琪	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	9	4	2.0	2.0
9	刘宝利	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	5	21	2.0	4.0
10	胡长城	吉林大学物理学院	3	7	2.0	2.0
11	杨成良	首都师范大学物理系	1	2	1.0	1.0
12	高汉超	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	2	7	2.0	2.0