啁啾光纤光栅相位掩模槽形控制新方法研究

• 作者: 刘全 吴建宏 杨卫鹏
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束刻蚀 反应离子束刻蚀 情形模拟 占宽比
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 光通信与网络
• 页码范围: 51-52
• 页数: 2页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2814字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2743.2009.01.023

摘要

在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制.运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模形貌进行修正,然后采用CHF3反应离子束刻蚀,实验和模拟均表明,Ar离子束刻蚀能很好的改善掩模与基片交界处的基片侧壁形貌,使得在CHF3反应离子束刻蚀下能得到较小的占宽比.对槽形控制提供了有意义的实验手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘全	苏州大学信息光学工程研究所	99	1053	16.0	29.0
2	吴建宏	苏州大学信息光学工程研究所	66	509	14.0	19.0
3	杨卫鹏	苏州大学信息光学工程研究所	2	11	2.0	2.0