In掺杂ZnO透明导电薄膜光电性质的研究

• 作者: 孔春阳 彭丽萍 方亮 李艳炯 杨小飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: In掺杂ZnO薄膜 透明导电 光电性质 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 63-66
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术成功制备出无掺杂和In掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了In掺杂对薄膜的结构和光电性能的影响.结果表明,In掺杂有利于提高ZnO薄膜结晶度,使薄膜表面更加致密平整;由于In3+替代了Zn2+,提供了大量的剩余电子,使薄膜的导电性质得到了很大的提高,所得薄膜的最小电阻率为4.3×10-3Q·cm.制备的ZnO薄膜在可见光范围的透过率达到了85%,In的掺杂对透光率的影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方亮	重庆大学应用物理系	62	513	12.0	18.0
5	孔春阳	重庆大学重庆师范大学应用物理系	12	52	5.0	6.0
6	彭丽萍	重庆大学应用物理系	9	57	5.0	7.0
7	杨小飞	重庆大学应用物理系	5	32	3.0	5.0
8	李艳炯	重庆大学应用物理系	3	39	3.0	3.0