热处理对ZnO变阻器电学性能影响的研究

• 作者: 姚政 李国荣 李玉科 蔡闻捷 郑嘹赢
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 变阻器 热处理
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 28-32,35
• 页数: 6页
• 分类号: TM283
• 字数: 3976字
• 语种: 中文

摘要

采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物(MnO,Sb2O3,CoO,Cr2O3,Bi2O3)的前驱超细粉体,采用固相反应烧结技术在1 140℃进行2 h烧结制备出ZnO陶瓷变阻器.用SEM,XRD研究了不同退火温度对ZnO压敏陶瓷的显微形貌、相结构,伏安非线性特性和微观电性能的影响.从阻抗分析,激活能和介电损耗与频谱关系分析证明了600～800℃热处理时晶界由于β-Bi2O3向γ-Bi2O3的相变引起的体积膨胀而变宽,导致晶界电子陷阱浓度降低,从而使得势垒高度下降,漏电流增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚政		10	76	6.0	8.0
2	李国荣	中国科学院上海硅酸盐研究所信息功能材料与器件研究中心	49	676	14.0	24.0
3	郑嘹赢	中国科学院上海硅酸盐研究所信息功能材料与器件研究中心	16	109	6.0	10.0
4	李玉科	中国科学院上海硅酸盐研究所信息功能材料与器件研究中心	2	3	1.0	1.0
5	蔡闻捷	中国科学院上海硅酸盐研究所信息功能材料与器件研究中心	1	1	1.0	1.0