P型GaN器件欧姆接触的研究进展

• 作者: 唐利斌 王忆锋
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 欧姆接触 紫外光子探测器 发光二极管 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 69-76
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 4256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2009.02.002

摘要

Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究.低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备.制备稳定的P-GaN欧姆接触一直是一个挑战.主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析,介绍了近年来在改进P-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐利斌		60	279	10.0	12.0
2	王忆锋		138	654	13.0	16.0