Si基发光的研究进展

• 作者: 刘伟 李晓云 牛萍娟 郭维廉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基发光 光互连 互补金属氧化物半导体 光陷阱 电光转换效率
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 154-159
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.12|TN256
• 字数: 3027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.03.005

摘要

回顾了Si基发光的研究历程,归纳分析了新近几种实现Si发光的方法和其优缺点,其中包括多孔Si发光、GeSi/Si量子阱发光、Si p-n结位错发光、CMOS Si基发光、PERL结构Si基发光等方法.重点介绍了PERL结构Si基发光,分析了结构设计中的几个关键性因素.该结构利用了光电转换可逆性原理,基于普通的单光子和双光子辅助次禁带弱光发射过程,通过把位于有关的次禁带波长的吸收最小化,同时减少二极管内寄生无辐射复合的作用范围.期望通过该综述提高国内研究者对PERL Si基发光的重视,开拓以PERL为新思路、新方法的Si基光互连方向研究的新进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信工程学院	123	617	13.0	17.0
2	郭维廉	天津工业大学信息与通信工程学院	145	419	10.0	12.0
4	李晓云	天津工业大学信息与通信工程学院	21	75	4.0	8.0
7	刘伟	天津工业大学信息与通信工程学院	14	51	4.0	6.0