GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料PL谱研究

• 作者: 史衍丽 沈光地 牟明威 邓军 马楠
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱 红外 光致荧光谱
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TN362
• 语种: 中文

摘要

结合薛定谔方程和泊松方程,模拟计算得到GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料能带图,并对该材料进行光致荧光谱(PL)测量.结合理论计算,由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置,采用传输矩阵法得到价带与导带基态能量,并由此推算出相应的红外探测响应波长.以傅里叶变换红外光谱仪对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器器件进行光谱测量,测量结果表明,所采用的计算方法得出的理论结果与器件的光电流谱吻合较好,利用光荧光谱对外延材料进行测量,可以在器件工艺前,快速确定器件的探测波长,从而更加有效地开展器件的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子实验室	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学光电子实验室	57	219	7.0	10.0
3	史衍丽		41	372	8.0	18.0
4	马楠	北京工业大学光电子实验室	8	13	2.0	3.0
5	牟明威		6	74	3.0	6.0