篇名 | Photoluminescence Character of Silicon Dioxide Irradiated by Xe, Kr and Bi Ions | ||
来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 | 学科 | 物理学 |
关键词 | 二氧化硅 光致发光特性 铋离子 半导体发光材料 辐照 物理化学特性 半导体设备 氙 | ||
年,卷(期) | 2009,(1) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 93-94 | |
页数 | 2页 | 分类号 | O484.41 |
字数 | 语种 | ||
DOI |