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低温下活性炭吸附分离Kr和Xe
活性炭
Kr
Xe
分离
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等离子体显示屏
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金属有机框架材料
吸附分离
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正常运行工况下核电厂气态流出物中85Kr与133Xe的关系
运行工况
惰性气体
排放量
85 Kr
133 Xe
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Photoluminescence Character of Silicon Dioxide Irradiated by Xe, Kr and Bi Ions
来源期刊 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 学科 物理学
关键词 二氧化硅 光致发光特性 铋离子 半导体发光材料 辐照 物理化学特性 半导体设备
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 93-94
页数 2页 分类号 O484.41
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研究主题发展历程
节点文献
二氧化硅
光致发光特性
铋离子
半导体发光材料
辐照
物理化学特性
半导体设备
研究起点
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期刊影响力
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报:英文版
年刊
兰州市城关区南昌路509号
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4411
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