ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究

• 作者: 冯志庆 刘东平 李东明 牛金海 谷建东
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氟化非晶碳薄膜 沉积机理 原子力显微镜 发射光谱
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 61-67
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1|O461.2+4|O461.2+5
• 字数: 4335字
• 语种: 中文

摘要

本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜.用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征.研究结果表明:放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度(RMS)和组成具有重要的影响.在脉冲波模式下,增加放电气压,薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势;基底距离线圈的距离越远,所沉积薄膜的RMS值越小.而在连续波模式下,距离线圈较远的B、C位置薄膜的RMS值却相对较高.增加放电功率导致沉积薄膜的RMS值较小.本文也对CH2F2等离子体进行了发射光谱(OES)诊断研究.结果表明,对比脉冲波模式,连续波放电时等离子体中含碳物种明显减少.结合表征结果和OES结果对薄膜的生长机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李东明	大连交通大学机械工程学院	25	84	7.0	8.0
2	刘东平	大连民族学院光电子技术研究所	19	36	3.0	5.0
3	牛金海	大连民族学院光电子技术研究所	15	27	3.0	4.0
4	谷建东	大连民族学院光电子技术研究所	3	2	1.0	1.0
8	冯志庆	大连民族学院光电子技术研究所	22	127	6.0	10.0