一种GMOS SnO2气体微传感器的设计

• 作者: 刘春娟 刘肃 吴蓉 张彩珍 王永顺
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS SnO2 气体微传感器 灵敏度 悬空结构 抗干扰
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 715-718
• 页数: 4页
• 分类号: TN212
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.07.25

摘要

采用TSMC 0.6 μm 1P3M标准CMOS工艺设计了一种检测O2浓度的SnO2气体微传感器.传感器材料是由实验分析及CMOS工艺共同确定,其多晶硅加热电阻温度系数小、功耗低,而SnO2敏感薄膜灵敏度高且稳定性良好,通过软件对器件进行热学模拟仿真并确定了传感器的结构及设计参数.芯片测试结果表明:所设计的MHP悬空结构的传感器反应速度快、抗干扰能力强、具有较高的灵敏度及稳定性,检测O2含量的浓度范围为15%～70%,满足了工艺要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	吴蓉	兰州交通大学电子与信息工程学院	31	88	6.0	7.0
3	刘肃	兰州大学物理科学与技术学院	68	261	9.0	11.0
4	张彩珍	兰州大学物理科学与技术学院	6	10	2.0	3.0
5	刘春娟	兰州交通大学电子与信息工程学院	24	109	6.0	10.0