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摘要:
针对D触发器的抗单粒子辐射效应加固,提出了一种新型的保护门触发器(GGFF)设计,使用两个保护门锁存器串接成主从触发器.通过Spice仿真验证了GGFF抗SEU/SET的能力,通过比较和分析,证明GGFF对于具有同样抗SEU/SET能力的时间采样触发器(TSFF),在电路面积和速度上占据明显优势.
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文献信息
篇名 SEU/SET加固D触发器的设计与分析
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 单粒子效应 D触发器 保护门
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 器件制造与应用
研究方向 页码范围 69-72
页数 4页 分类号 TN43
字数 2326字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.01.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程秀兰 上海交通大学微电子学院 48 205 5.0 12.0
2 黄晔 上海交通大学微电子学院 2 17 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子效应
D触发器
保护门
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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