6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究

• 作者: 宁丽娜 彭燕 徐化勇 徐现刚 王英民 胡小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC 成核 表面形貌 缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 7-10,38
• 页数: 5页
• 分类号: O771|O782
• 字数: 2541字
• 语种: 中文

摘要

利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量.根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区.平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差.依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因.根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差.最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	彭燕	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	23	4.0	4.0
4	宁丽娜	山东大学晶体材料国家重点实验室	4	16	3.0	4.0
5	徐化勇	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	8	2.0	2.0
6	王英民	山东大学晶体材料国家重点实验室	3	12	3.0	3.0