电荷耦合器件消拖影后非线性测定

• 作者: 郑舸 韩采芹
• 来源期刊: 光机电信息
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷耦合器件 非线性 拖影
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 光机电研究
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 1605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1180.2009.06.007

摘要

随着电荷耦合器件(CCD)技术的迅速发展,CCD在光度检测中的应用越来越为人们所关注,如在CCD图像传感系统中,直接运用CCD列阵作为光电探测器件,测试光学系统及CCD成像系统的调制传递函数,其关键之一在于CCD光探测器的非线性.然而,CCD采集的图像都具有拖影.为了测量CCD芯片的非线性,提出一种定量测量CCD芯片响应非线性的实验方法,通过实验获得探测器输出信号与光照度数据,对图像进行消拖影;进而进行曲线拟合,得到了CCD芯片的响应非线性曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑舸	四川理工学院机械工程学院	9	15	2.0	3.0
2	韩采芹	四川理工学院机械工程学院	12	49	3.0	6.0