3.3μA静态电流无片外电容的CMOS低压差线性稳压器

• 作者: 何乐年 崔传荣 巩文超 王忆
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差线性稳压器 无片外电容 摆率增强电路 嵌套式米勒补偿
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TN401
• 字数: 811字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2009.01.004

摘要

设计了一种用于片上系统的无片外电容的CMOS低压差线性稳压器(LDO),其输出电压为3.3 V,最大输出电流为100 mA.该设计可以有效地减少芯片引脚和电路板面积.通过在传统结构上使用动态摆率增强电路和嵌套式米勒补偿技术,LDO在线性和负载响应过程中都有很强的稳定性.当输出电流从100 mA减小到1 mA时,过冲电压被限制在550 mV以内,稳定时间小于50μs.由于采用了30 nA的电流基准,本设计的静态功耗仅为3.3μA.通过CSMC公司0.5 μm CMOS工艺进行设计并流片验证,芯片测试结果与仿真结果吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何乐年	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	88	869	16.0	26.0
2	巩文超	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	6	61	4.0	6.0
3	王忆	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	8	82	4.0	8.0
4	崔传荣	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	3	14	2.0	3.0