PI衬底上电沉积Cu薄膜的晶面择优取向

• 作者: 吉锐 周序乐 唐振方 沈娇
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: Cu薄膜 电沉积 择优取向 织构 电阻率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TB43
• 字数: 2791字
• 语种: 中文

摘要

采用硫酸盐电沉积法,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段研究了不同电沉积条件下在PI膜表面制备的Cu薄膜的品而择优取向、平均晶粒尺寸及表面形貌.结果表明,沉积层的晶面择优取向受Cu薄膜厚度和电流密度影响,电流密度较小(0.2 A/dm2)和较大(3.5～5.5 A/dm2)时,电沉积Cu膜分别容易得到(111)和(220)晶面择优取向,较大电流密度有利于晶核的形成,薄膜表面平均颗粒尺寸较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉锐	暨南大学物理系	5	17	2.0	4.0
2	唐振方	暨南大学物理系	48	418	11.0	18.0
3	周序乐	暨南大学物理系	5	26	3.0	5.0
4	沈娇	暨南大学物理系	4	17	2.0	4.0