功率器件芯片封装和静电放电失效分析

• 作者: 曾韡 王振雄
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 失效分析 静电放电 金属引线
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 78-81,87
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 语种: 中文

摘要

针对一般失效机理的分析可提高功率半导体器件的可靠性.利用多种微分析手段,分析和小结了功率器件芯片的封装失效机理.重点分析了静电放电(electrostatic discharge,ESD)导致的功率器件失效,引入了ESD电热理论模型.实验证明,该模型能快速准确地分析金属引线的抗ESD强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾韡		13	15	2.0	3.0
2	王振雄		4	3	1.0	1.0