掺磷纳米硅薄膜的制备及介观力学性质与介观接触电阻的研究

• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅薄膜 掺磷 纳米接触电流 纳米压痕
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 47-50
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1879字
• 语种: 中文

摘要

采用PECVD法制备的纳米硅薄膜是一种具有特殊性能的人工材料.它是由大量具有纳米量级的硅微品粒构成,纳米硅晶粒镶嵌在由非晶硅构成网络中,其晶粒所占的体积百分比为Xc≈50%,从而决定了其特有的性质.本文通过严格控制薄膜生长的工艺参数,得到了掺磷纳米硅薄膜,并通过原位纳米力学电学测试系统对其力学和电学性质进行测试,发现掺磷纳米硅薄膜的纳米硬度为5 GPa,而其杨氏模量随着压入深度的增加而增大,其接触电阻与薄膜的结构密切相关.这些属性对于纳米硅薄膜微器件的制备具有重要的参考意义.