硅外延双层结构的厚度测量

• 作者: 唐有青 张文清 杨帆 谭卫东 马利行
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: FTIR 硅外延片 中间层 电阻率 厚度
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN307
• 字数: 1719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.09.002

摘要

硅外延是一种性能优良的半导体材料,在IGBT、大功率器件等领域中有着广泛的应用.FTIR(Fourier-Transform Infrared Spectrophotometry)技术是目前普遍采用的测量硅外延层厚度的先进方法,具有准确、快速、稳定、无损伤等其他方法无可比拟的优势.FTIR方法对于常规的低掺杂双层外延结构,只能测出两层外延的总厚度,而不能测出两个外延层分别的厚度.文章通过试验数据,证明了FTIR测试方法能够同时测量双层外延层结构的硅外延片的两层厚度,并提出了对中间层外延的电阻率的要求,同时对ASTM-F95标准中提出的FTIR法测量硅外延层厚度时对外延层和衬底层电阻率的要求,提出了新的范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭卫东		5	18	3.0	4.0
2	杨帆		9	11	2.0	3.0
3	马利行		4	17	3.0	4.0
4	张文清		3	14	2.0	3.0
5	唐有青		2	7	2.0	2.0