CMOS反相器辐射加固电路设计

• 作者: 包军林 庄奕琪 张婧婧 曹鹏辉 杜磊 阎家铭 陈晓东
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 预兆单元 DC-DC 总剂量辐照 加固设计
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.04.007

摘要

针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计,对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能,利用电路模拟软件Pspice进行了模拟.模拟结果显示,采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
3	包军林	西安电子科技大学微电子学院	43	306	10.0	16.0
4	陈晓东	西安电子科技大学技术物理学院	2	1	1.0	1.0
5	张婧婧	西安电子科技大学技术物理学院	5	24	2.0	4.0
6	曹鹏辉	西安电子科技大学技术物理学院	2	1	1.0	1.0
7	阎家铭	西安电子科技大学技术物理学院	3	1	1.0	1.0