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摘要:
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度.文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果.采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了OaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构.
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文献信息
篇名 可用于弱光探测器的量子线研究进展
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 光电探测器 V型槽量子线 量子线
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目 动态综述
研究方向 页码范围 11-15
页数 5页 分类号 TN471.1
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
光电探测器
V型槽量子线
量子线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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